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IRF8915PBF中文资料

IRF8915PBF图片

IRF8915PBF外观图

  • 大小：188.57KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18.3 毫欧 @ 8.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：540pF @ 10V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件

IRF8915PBF供应商

更新时间:2023-01-07 02:36:06
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